對陶瓷電容（通常也稱MLCC，即多層陶瓷電容）而言，“容差”一詞是指設(shè)備電容與標(biāo)稱值的偏差，這僅僅是由制造過程中的變化引起的。 容差是在嚴(yán)格定義的測試條件下測量的，該過程經(jīng)過專門設(shè)計以排除其他因素對指定設(shè)備的測量電容的影響。

將“容差”理解為一個總范圍是一種普遍的誤解，有人認(rèn)為無論測量條件如何，測量值都應(yīng)在標(biāo)稱值的規(guī)定容差范圍內(nèi)。許多產(chǎn)品的特性非常穩(wěn)定，因此很容易讓人忽略這一區(qū)別；而陶瓷電容并不屬于這類產(chǎn)品。（那些基于1類電介質(zhì)的陶瓷電容為例外；關(guān)于電介質(zhì)分類的說明，請參閱這篇帖子 1。）

然而，許多基于2類和3類電介質(zhì)的陶瓷電容的電容特性極不穩(wěn)定，因此隨意測量往往會得出超出標(biāo)稱值的規(guī)定“容差”之外的電容值。這并不代表產(chǎn)品有缺陷或不合規(guī)格，這只是技術(shù)的性質(zhì)和特點所致。

影響陶瓷電容的觀測電容的三個重要因素可歸納為三個“T”：測試信號（Test signal）、溫度（Temperature）和時間（Time）。

測試信號 ： 舉例而言，下圖摘自CL31A106KAHNNNE特性表，展示了直流偏置和交流測試信號振幅對觀測的電容值產(chǎn)生的影響。在這種情況下，稍微改變交流電測試信號的振幅，就會導(dǎo)致觀測的電容值出現(xiàn)-15%到+10%之間的浮動。而直流偏置造成的影響更大；在僅有四分之一的額定電壓的情況下，設(shè)備的電容會降低一半。對于那些認(rèn)為所有偏差都不會超出標(biāo)稱的+/-10%容差值的人來說，這可能會讓他們大吃一驚。

請注意，這種程度的變化是很常見的，并且所示零件在此方面與同類產(chǎn)品相比沒有明顯的好壞之分。不過，該產(chǎn)品的廠商非常貼心地以特性表的形式清晰明了地展示出特定設(shè)備的特性。

溫度 ： 下圖展示了幾個具有不同溫度特性的電容系列的電容隨溫度變化的例子。除了1類電介質(zhì)（C0G）設(shè)備外，在那些工作溫度有顯著變化的應(yīng)用中預(yù)期的最小變化幅度約為10%。請注意，該圖只說明了溫度的影響：其他因素也會進(jìn)一步增加所觀測的電容值的變化幅度。同樣地，對于那些認(rèn)為所規(guī)定的“容差”是一個總體概念的人來說，這也可能是一個不受歡迎的意外現(xiàn)實。

時間： 最后，陶瓷電容（同樣排除1類電介質(zhì)）會出現(xiàn)老化現(xiàn)象，即，其電容會隨著時間的推移逐漸減少，從最后一次加熱到材料特定溫度時開始計算，這種加熱通常發(fā)生在初始制造階段，也可能發(fā)生在組裝階段。這種影響的程度取決于材料并且是不斷累積的，通常高達(dá)每十倍時幾個百分點。這篇帖子更詳細(xì)地描述了這種影響。時間因素可以增加或掩蓋其他因素對所觀測的電容值的影響（依據(jù)具體情況而定）。無論如何，當(dāng)“容差”被誤解為一個總范圍時，這本身就會導(dǎo)致設(shè)備表現(xiàn)出超過容差范圍的情況。

綜上所述：

“容差”僅表示一個會影響陶瓷電容觀測值的因素，而非所有因素的總和。這些其他因素所造成的影響可能遠(yuǎn)大于指定的容差值。但這并不能被視為產(chǎn)品缺陷或不符合產(chǎn)品規(guī)格。使用的測試信號、設(shè)備溫度和設(shè)備最后一次去老化后的時間都會影響陶瓷電容的觀測電容。所有這些因素都必須符合廠商的測試條件，以便進(jìn)行有效的電容測量，從而最終確定該電容是否符合廠商的規(guī)格。

許多萬用表上的電容測量功能并不能有效地確定產(chǎn)品是否符合廠商的規(guī)格。如果您需要一個已知的穩(wěn)定電容，根本不用考慮基于1類電介質(zhì)（C0G或NP0最為常見）以外的陶瓷電容。