據有關(guān)寬帶隙半導體市場(chǎng)新的研究報告顯示，全球寬帶隙半導體市場(chǎng)預計在2027年將達到US $ 3億的價(jià)值，在?22％的復合年增長(cháng)率擴張，從2019到 2027年。根據報告認為，在預測期內，全球寬帶隙半導體市場(chǎng)將繼續受到一系列宏觀(guān)經(jīng)濟和特定市場(chǎng)因素的影響。

與市場(chǎng)上其他可用的半導體材料相比，寬帶隙（WBG）半導體的使用使功率半導體器件更小，更快，更可靠，更高效。寬帶隙半導體材料提供的重量輕，使用壽命長(cháng)和能帶隙更大的優(yōu)點(diǎn)使它們在全球范圍內的不同類(lèi)型的功率半導體器件中得到優(yōu)先使用。

廣泛的商業(yè)可用性，WBG半導體功率器件的價(jià)格下降以及對用于電信設備，計算機，軍用器件，電動(dòng)汽車(chē)和光伏發(fā)電等應用的氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件的需求不斷增長(cháng)逆變器有望在不久的將來(lái)帶動(dòng)全球寬帶隙半導體市場(chǎng)。

預計在預測期內，寬帶隙半導體材料投資的增加及其在功率半導體行業(yè)中的采用將推動(dòng)全球寬帶隙半導體市場(chǎng)的增長(cháng)。

能源和公用事業(yè)最終利用行業(yè)占主導地位

該報告詳細介紹了全球寬帶隙半導體市場(chǎng)的細分情況：就材料（碳化硅[SiC]，氮化鎵[GaN]，金剛石等），應用（混合動(dòng)力/電動(dòng)汽車(chē)，光伏逆變器，鐵路牽引，風(fēng)力渦輪機，電源，電機驅動(dòng)器，UPS等）和最終用途行業(yè)（汽車(chē)，航空航天與國防，IT與消費者，能源與公用事業(yè)等）。全球市場(chǎng)也已根據地區（北美，歐洲，亞太地區，南美以及中東和非洲）進(jìn)行了細分。

在這些材料中，碳化硅（SiC）細分市場(chǎng)在2018年占全球寬帶隙半導體市場(chǎng)的領(lǐng)先份額。預計在預測期內，該細分市場(chǎng)將保持其在全球寬帶隙半導體市場(chǎng)的主導地位。

混合動(dòng)力/電動(dòng)汽車(chē)的應用領(lǐng)域預計將引領(lǐng)全球寬帶隙半導體市場(chǎng)，并在預測期內以高CAGR的速度擴展。

能源與公用事業(yè)是全球寬帶隙半導體市場(chǎng)中極具吸引力的最終用途行業(yè)。就市場(chǎng)規模而言，它是最大的細分市場(chǎng)。預計該部門(mén)將在預測期內以快速的速度增長(cháng)。此外，預計在預測期內，不同功率半導體制造商對寬帶隙半導體材料的采購將增加，從而帶動(dòng)全球寬帶隙半導體市場(chǎng)。

亞太地區是利潤豐厚的寬帶隙半導體市場(chǎng)

由于該地區較早采用寬帶隙半導體，預計在預測期內，亞太地區將占據全球寬帶隙半導體市場(chǎng)的最大份額。亞太地區和北美占有相當大的市場(chǎng)份額。預計在預測期內，這些地區將為寬帶隙半導體市場(chǎng)提供豐厚的機會(huì )。

中國在2018年主導了亞太地區的寬帶隙半導體市場(chǎng)。預計該國的寬帶隙半導體市場(chǎng)將在2019年至2027年期間以顯著(zhù)的復合年增長(cháng)率增長(cháng)。亞太地區的不同政府組織正在增加其研發(fā)支出適用于先進(jìn)的功率半導體器件。反過(guò)來(lái)，這有望促進(jìn)該地區的寬帶隙半導體市場(chǎng)。此外，對電動(dòng)汽車(chē)的需求上升以及對5G支持設備的高度關(guān)注是在預測期內可能推動(dòng)寬帶隙半導體市場(chǎng)的一些主要驅動(dòng)因素。

投資新產(chǎn)品以推動(dòng)寬帶隙半導體市場(chǎng)

該報告提供了在全球寬帶隙半導體市場(chǎng)中運作的領(lǐng)先企業(yè)的概況。它們是Cree，Inc.，GeneSiC Semiconductor Inc.，Infineon Technologies AG，Panasonic Corporation，ST Microelectronics NV，ON Semiconductor，ROHM Semiconductor，OSRAM Opto Semiconductors GmbH，TT Electronics，Qorvo，Inc .和Broadcom Inc .。

ROHM Semiconductor是寬帶隙半導體（SiC和GaN）材料的領(lǐng)先制造商。該公司于2019年2月開(kāi)始大規模生產(chǎn)SiC功率元件，例如SiC肖特基二極管和SiC平面MOSFET。該公司宣布計劃在先進(jìn)機器的幫助下升級其現有的WBG半導體生產(chǎn)設施，預計將在年底完成2020年。

2019年8月，安森美半導體在其產(chǎn)品線(xiàn)中推出了寬帶隙（WBG）硅碳（SiC）MOSFET。該公司預計，由于WBG半導體器件在汽車(chē)電氣系統和電動(dòng)汽車(chē)等應用中的使用量增加，因此新產(chǎn)品在不久的將來(lái)會(huì )出現很高的需求。